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半导体光放大器及其制造方法、光相位调制器

摘要

本发明涉及半导体光放大器,具备:串联地排列的多个光放大区域;无源波导区域,设置于光放大区域之间;以及第1及第2电极,设置于光放大区域的上表面,无源波导区域使相邻的光放大区域的第1电极之间及第2电极之间电气地绝缘,并且将相邻的光放大区域之间光学地连接,在半导体光放大器中,通过对相邻的光放大区域的第1电极与第2电极之间进行电连接,多个光放大区域被级联电连接,通过向多个光放大区域的排列的两端的光放大区域的供电,驱动多个光放大区域。

著录项

  • 公开/公告号CN110168824A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 三菱电机株式会社;

    申请/专利号CN201780082399.4

  • 发明设计人 西川智志;

    申请日2017-10-02

  • 分类号H01S5/50(20060101);G02F1/017(20060101);

  • 代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人程晨

  • 地址 日本东京

  • 入库时间 2024-02-19 14:44:26

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-09-17

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01S5/50 申请日:20171002

    实质审查的生效

  • 2019-08-23

    公开

    公开

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