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采用非平衡直流电弧等离子体进行晶体结构编辑的方法

摘要

本发明公开了一种采用非平衡直流电弧等离子体进行晶体结构编辑的方法,包括1)主运行流程:1.1)判断被编辑物质是否存在于经由建立参数流程建立的运行参数数据库中,如果是则调用其中的运行参数,否则转入建立参数流程;1.2)依据调用的运行参数进行直流电弧等离子体处理;1.3)对处理后的被编辑物质的晶体结构进行测量,判断是否为目标晶体结构,如果是则输出产品;2)建立参数流程:2.1)进行预实验;2.2)确定主运行参数;2.3)进行验证实验,得到对应不同主运行参数的晶体结构数据;2.4)将运行参数数据录入运行参数数据库中。该方法利用直流电弧对晶体结构进行编辑,具有编辑效率高、稳定可靠、适应性好的优点。

著录项

  • 公开/公告号CN109949876A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-06-28

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华中科技大学;

    申请/专利号CN201910256515.0

  • 申请日2019-04-01

  • 分类号G16C20/50(20190101);G16C20/90(20190101);

  • 代理机构42104 武汉开元知识产权代理有限公司;

  • 代理人樊戎

  • 地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞瑜路1037号

  • 入库时间 2024-02-19 11:46:10

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-07-23

    实质审查的生效 IPC(主分类):G16C20/50 申请日:20190401

    实质审查的生效

  • 2019-06-28

    公开

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