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公开/公告号CN109904002A
专利类型发明专利
公开/公告日2019-06-18
原文格式PDF
申请/专利权人 清华大学;
申请/专利号CN201910032827.3
发明设计人 王晓红;徐思行;
申请日2019-01-14
分类号H01G11/28(20130101);H01G11/36(20130101);H01G11/84(20130101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人王莹;李相雨
地址 100084 北京市海淀区清华园北京100084-82信箱
入库时间 2024-02-19 11:23:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2019-07-12
实质审查的生效 IPC(主分类):H01G11/28 申请日:20190114
实质审查的生效
2019-06-18
公开
机译: 低阻抗金电极,用于制造相同金电极的设备,用于制造相同金电极的方法和用于制造金电极的电解质溶液
机译: 低阻抗接触电极-用于半导体组件的电极,特别是用于隧道二极管的电极
机译: 沟槽电容器中低阻抗电极的制备方法
机译:提出了一种使用电容器膜来降低阻抗的方法:低阻抗电路(电源)板
机译:低阻抗和高度透明的微电极阵列(MEA)用于体外神经元电气活性探测
机译:用于低阻抗柔性微电极的晶片级制造的溅射多孔PT
机译:具有低阻抗溅射铱氧化物电极涂料的微电极阵列
机译:用于生物医学应用的低阻抗微电极的建模和设计。
机译:用于人类神经假体的更小更柔软低阻抗的电极:一种实用的方法
机译:如何在同一时间实现子蜂窝级空间分辨率和子峰值级时间分辨率在神经映射中仍然是技术挑战,而两个信息对于推进神经科学来说都很重要。这里,我们提出穿透阵列由单神经元级透明微电极组成,具有低阻抗涂层,其可以同时实现高空间和时间分辨率。这些32通道透明穿透电极具有记录小的部位面积,225μm²的低阻抗在1 kHz的〜149kΩ的低阻抗,充足的电荷注入极限为±0.76mc / cm2,率高达100%。机械弯曲试验结果显示高达1000个弯曲循环的强大机制。在用聚乙二醇进行临时变硬后,该电极实现了很大的插入结果,而无需任何屈曲或变形。这些结果共同建立了一种新型神经技术 - 穿透透明,灵活的双层圆形脉冲阵列,其具有巨大的大脑研究潜力
机译:径向加速器,一种新的低阻抗Hpm源。