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通过超短电脉冲在原子级薄膜中产生纳米孔

摘要

本发明涉及通过超短电脉冲在原子级薄膜中产生纳米孔。在一种形成纳米孔的方法中,使膜的两个相反表面暴露于导电液体环境。通过液体环境,在两个膜表面之间施加具有第一成核脉冲幅度和持续时间的纳米孔成核电压脉冲。在施加纳米孔成核电压脉冲后,测定膜的电导,并与第一预定电导比较。然后,如果测定的电导不大于第一预定电导,则通过液体环境,在两个膜表面之间施加至少一个额外的纳米孔成核电压脉冲。

著录项

  • 公开/公告号CN110090560A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-08-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 哈佛大学校长及研究员协会;

    申请/专利号CN201811618764.1

  • 发明设计人 J.A.戈罗夫钦科;B.陆;A.T.宽;

    申请日2014-03-14

  • 分类号

  • 代理机构中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人杨思捷

  • 地址 美国马萨诸塞州

  • 入库时间 2024-02-19 11:18:46

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-08-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):B01D67/00 申请日:20140314

    实质审查的生效

  • 2019-08-06

    公开

    公开

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