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用于减少的非辐射侧壁复合的LED结构

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摘要

本发明公开了一种LED结构，其用于减少沿竖直LED的侧壁的非辐射侧壁复合，该竖直LED包括跨顶部电流扩展层、底部电流扩展层和顶部电流扩展层与底部电流扩展层之间的有源层的p‑n二极管侧壁。

公开/公告号CN109155345A

专利类型发明专利
公开/公告日2019-01-04

原文格式PDF
申请/专利权人苹果公司;
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申请/专利号CN201780031841.0
发明设计人 D·P·布尔;K·麦格罗迪;D·A·黑格尔;J·M·珀金斯;A·查克拉博蒂;J-J·P·德罗莱特;D·S·斯佐夫;
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申请日2017-06-23
分类号H01L33/14(20060101);H01L33/20(20060101);
代理机构11256 北京市金杜律师事务所;
代理人王茂华
地址美国加利福尼亚州
入库时间 2024-02-19 09:48:51

1. 用于减少非辐射侧壁复合的LED结构 [P] . 中国专利： CN107408603B . 2020.04.14
2. 用于减少非辐射侧壁复合的LED 结构 [P] . 中国专利： CN107408603A . 2017-11-28
3. LED structure for non-radiative sidewall recombination reduction [P] . 韩国专利： KR20170100611A . 2017-09-04

机译：用于减少非辐射侧壁复合的LED结构
4. LED LED STRUCTURES FOR REDUCED NON-RADIATIVE SIDEWALL RECOMBINATION [P] . 韩国专利： KR20190109586A . 2019-09-25

机译：用于减少非辐射式侧壁重组的LED LED结构
5. LED structures for reduced non-radiative sidewall recombination [P] . 美国专利： US10193013B2 . 2019-01-29

机译：用于减少非辐射侧壁重组的LED结构