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高浪涌瞬变电压抑制器

摘要

本发明涉及高浪涌瞬变电压抑制器。其中,一种双向瞬态电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管,引入优化的集电极‑基极结,实现了雪崩模式击穿。在某些实施例中,双向瞬变电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管,引入单独优化的集电极‑基极和发射极‑基极结,带有空间分布的优化的结。优化的集电极‑基极和发射极‑基极结都能实现雪崩模式击穿,以提高晶体管的击穿电压。还可选择,单向瞬变电压抑制器配置成一个NPN双极晶体管,其PN结二极管在反向偏压方向上并联到受保护的节点上,并且引入单独优化的双极晶体管的集电极‑基极结和二极管的p‑n结。

著录项

  • 公开/公告号CN109585530A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 万国半导体(开曼)股份有限公司;

    申请/专利号CN201811133336.X

  • 发明设计人 雪克·玛力卡勒强斯瓦密;

    申请日2018-09-27

  • 分类号

  • 代理机构上海元好知识产权代理有限公司;

  • 代理人张静洁

  • 地址 英属西印度群岛开曼群岛大开曼岛KY1-1107邮政信箱709玛丽街122号和风楼

  • 入库时间 2024-02-19 09:40:00

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-04-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L29/06 申请日:20180927

    实质审查的生效

  • 2019-04-05

    公开

    公开

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