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一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路

摘要

本发明公开一种超低电压超低功耗的晶体振荡器电路架构,主要包括双跨导晶振主电路、幅度控制辅助电路和输出驱动辅助电路。其中所述双跨导晶振主电路包括输入管、偏置输入管、放大器反馈电阻和桥接电容,能实现小面积和全MOS管及超低电压超低功耗;其中所述幅度控制辅助电路实现幅度控制;其中所述输出驱动辅助电路实现轨对轨的全摆幅输出,直接作为前端双跨导晶振模拟模块和数字模块的接口电路。本发明可解决现有技术中功耗较大和大电阻大面积等缺点,实现一种超低电压超低功耗的全MOS自偏置晶体振荡器。

著录项

  • 公开/公告号CN109274336A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-25

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 杭州晶华微电子有限公司;

    申请/专利号CN201710586967.6

  • 发明设计人 肖云钞;

    申请日2017-07-18

  • 分类号H03B5/36(20060101);

  • 代理机构

  • 代理人

  • 地址 310052 浙江省杭州市滨江区滨康路790号二层

  • 入库时间 2024-02-19 07:49:49

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03B5/36 申请日:20170718

    实质审查的生效

  • 2019-01-25

    公开

    公开

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