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过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板

摘要

本发明实施例公开了一种过孔的制作方法、阵列基板的制作方法及阵列基板,该过孔的制作方法包括:提供衬底基板;在所述衬底基板上形成至少两个导电层和至少一个绝缘层,所述导电层和所述绝缘层交替层叠于所述衬底基板上;令所述至少两个导电层和所述至少一个绝缘层中与所述衬底基板之间的距离最大的膜层为第一膜层,利用脉冲激光从所述第一膜层背离所述衬底基板一侧对各所述导电层和各所述绝缘层进行熔焊处理以形成过孔,各所述导电层通过所述过孔电连接。本发明提供的过孔的制作方法可以实现在将多个导电层电气连接时,简化过孔制作过程,降低制作成本的目的。

著录项

  • 公开/公告号CN109216266A

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2019-01-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 华南理工大学;

    申请/专利号CN201811050916.2

  • 申请日2018-09-10

  • 分类号H01L21/768(20060101);H01L27/12(20060101);B23K26/21(20140101);

  • 代理机构11332 北京品源专利代理有限公司;

  • 代理人孟金喆

  • 地址 510700 广东省广州市天河区五山路381号

  • 入库时间 2024-02-19 07:41:09

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2019-02-12

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/768 申请日:20180910

    实质审查的生效

  • 2019-01-15

    公开

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