ზოგიერთი იშვიათმიწა ელემენტის ჰალკოგენიდებისა და პნიქტიდების თხელი ფირების მიღება და ფიზიკური თვისებები

摘要

შესავალი -- თავი I -- ლიტერატურის მიმოხილვა -- 1.1 ზოგიერთი იმე გოგირდი, იმე სელენი და იმე ბისმუტი მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები -- 1.1.1. ზოგიერთი იმე-გოგირდი სისტემის მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები -- 1.1.2. ზოგიერთი იმე-სელენი სისტემის მდგომარეობის ფაზური დიაგრამები -- 1.1.3 იმე-ბისმუტის მდგომარეობის დიაგრამა -- 1.2. იშვიათმიწა ელემენტების სულფიდების, სელენიდებისა და ბისმუტიდების მოცულობითი კრისტალების და ფირების მიღება -- 1.3. თულიუმის სულფიდების, სელენიდებისა და ლანთანის ბისმუტიდების კრისტალური სტრუქტურა -- 1.4. იშვიათმიწა ელემენტების ჰალკოგენიდებისა და ბისმუტიდების ქიმიური თვისებები -- 1.5. იშვიათმიწა ელემენტების ჰალკოგენიდებისა და ბისმუტიდების ფიზიკური და ოპტიკური თვისებები -- 1.6. I თავის დასკვნები. სადისერტაციო ნაშრომის მიზანი და ამოცანები -- თავი II. ფირების მიღების ტექნოლოგიური, მაკონტროლებელი და ფიზიკური თვისებების გასაზომი დანადგარები და გაზომვის მეთოდიკა -- 2.1. ვაკუუმურ-თერმული აორთქლების მეთოდით ფირების მოსამზადებელი დანადგარები -- 2.2 ფუძეშრის გაწმენდა -- 2.3. ფირების სისქის კონტროლი -- 2.4 ფირების რენტგენოდიფრაქციული და ელექტრონოგრაფიული კვლევის მეთოდები -- 2.5 ქიმიური შემადგენლობის კვლევის მეთოდიკა -- 2.6 ელექტროფიზიკური კვლევის მეთოდები -- 2.7 თერმო ელექტრო მამოძრავებელი ძალის გაზომვა -- 2.8 ოპტიკური და ფოტოელექტრული თვისებების კვლევის მეთოდიკა -- თავი III . იშვიათმიწა ელემენტების სულფიდების, სელენიდებისა და ბისმუტიდების თხელი ფირების მიღების ტექნოლოგია, კრისტალური სტრუქტურა, ფაზური და ქიმიური ანალიზი -- 3.1. ვაკუუმურ-თერმული აორთქლებით თხელი ფირების მიღების მეთოდები და ტექნოლოგიური თავისებურებანი -- 3.2. თულიუმის ერთნახევრიანი სულფიდის ფირების მიღება -- 3.3. თულიუმის ერთნახევრიანი სულფიდის ფირების მალეგირებელი მინარევის შერჩევა და ლეგირების მეთოდები -- 3.4. თულიუმის მონოსულფიდის თხელი ფირების მიღება; 3.5. თულიუმის მონოსელენიდის თხელი ფირების მიღება -- 3.6. ლანთანის ბისმუტთან შენაერთების ფირების მიღება -- 3.7. ელექტრო-საკონტაქტო მოედნების დაფენის ტექნოლოგია -- 3.8. III თავის დასკვნები -- თავი IV. სილიციუმით ლეგირებული -Tm2S3-ის თხელი ფირების ფოტოელექტრული და ელექტროფიზიკური თვისებები. TmS, TmSe და LaBi ელექტროფიზიკური და ოპტიკური თვისებები -- 4.1 სილიციუმით ლეგირებული -Tm2S3-ის თხელი ფირების ელექტროფიზიკური და ფოტოელექტრული თვისებები -- 4.2. თულიუმის მონოსულფიდის თხელი ფირების ელექტროფიზიკური თვისებები -- 4.3. თულიუმის მონოსელენიდის თხელი ფირების ელექტროფიზიკური და ოპტიკური თვისებები -- 4.4. ლანთანის ბისმუტიდების თხელი ფირების ელექტროფიზიკური თვისებები -- 4.5. თულიუმის ერთნახევრიანი და მონოსულფიდების, თულიუმის მონოსელენდის, ლანთანის ბისმუტიდების ფარდობითი მექანიკური სიმტკიცე -- 4.6. IV თავის დასკვნები -- დასკვნები -- გამოყენებული ლიტერატურა.