FIELD EFFECT TRANSISTORS; INDIUM PHOSPHIDES; MIS (SEMICONDUCTORS); SUPERHIGH FREQUENCIES; FABRICATION; GATES (CIRCUITS); MICROWAVE CIRCUITS; PERFORMANCE TESTS; POWER EFFICIENCY;
机译:亚微米级栅极InP功率MISFET,在18和20 GHz时具有改进的输出功率密度
机译:InP MISFET在30 GHz时的功率密度为1.8 W / mm
机译:650 MW / mm输出功率密度为10 GHz的H封端的多晶钻石MISFRET
机译:具有1微米和亚微米栅极的高功率InP MISFET
机译:使用SiC HEMT器件上的GaN的3.6 GHz Doherty功率放大器,其饱和输出功率为40 dBm。
机译:0.01-20 GHz之间的低功率射频扫描对雌性埃及伊蚊的影响:集体行为分析
机译:亚微米栅极InP功率MISFET在18和20 GHz时具有改进的输出功率密度