Gallium Arsenides; Gallium Phosphides; Indium Phosphides; Photoluminescence; Charge Carriers; Experimental Data; Magnetic Fields; Recombination; Meetings; Tables(data);
机译:金属有机气相外延生长的GaAs /部分有序GaInP量子阱的光致发光研究
机译:GaAs /部分有序GaInP界面的高压光致发光研究
机译:强磁场中自组装Inas / Gaas量子点光致发光的温度依赖性
机译:金属有机气相外延生长的GaAs /部分有序GaInP量子阱的上转换光致发光研究
机译:通过自助分子束外延生长核心壳GaAs / Gaassb纳米线的微光致发光(MU-PL)研究
机译:MBE在GaAs上生长的应变GaAsSb / GaAs QW结构的光致发光和能带排列
机译:部分有序GaInp {sub 2} / Gaas中上转换光致发光的磁场依赖性高达23 T.
机译:部分有序GaInp(sub 2)/ Gaas中上转换光致发光的磁场依赖性高达23 T.