Tin 116 Target; Tin 117; Tin 118 Target; Tin 119; Tin 120 Target; Tin 121; Alpha Reactions; Angular Distribution; Energy Levels; Energy Spectra; Experimental Data; Helium 3; MeV Range 100-1000; Neutrons; Particle-Hole Model; Strength Functions; Stripping; Transfer;
机译:中子在碳上快速反应引起的轻电荷粒子产生(E-n = 40至75 MeV)(II)。 ton核和阿尔法粒子
机译:质子和α粒子在Si-nat上以20至65 MeV的能量诱发的反应中的带电粒子和中子产生
机译:在中子能为10-12 MeV的锆的某些同位素上的(n,p),(n,alpha)和(n,2n)反应的截面以及使用14 MeV d(是)中子谱。
机译:14.1MEV入射中子用带电粒子发射反应的双差分横截面的测量
机译:用(α,2中子γ)和(α,4中子γ)反应研究UT181,183,钽175,177和L 169,171中的水平。
机译:CVD金刚石至70meV质子快节中子和200meV接头的辐射耐受性研究
机译:在反应中填充的高位中子孔状态$ SP 13 $ C(P,D)$ SUP 12 $ C在62 MEV。
机译:激发函数exp exp mg(alpha,alpha)exp 24 mg和exp 24 mg(alpha,p)exp 27 al反应在α粒子的能量范围内从23.05到28.55 meV