Amorphous silicon; Amorphous State; Crystal Defects; EDB/140501; EDB/360106; Hydrogenation; Metastable States; Physical Radiation Effects; Progress Report; Silicon; Silicon Solar Cells; Spectroscopy;
机译:纳米量热法研究氢化非晶硅中光诱导的亚稳态缺陷
机译:氢化无定形硅中光诱导缺陷的长期常量性
机译:退火处理可降低器件质量的氢化非晶硅中光诱导的亚稳态缺陷的产生率
机译:通过电容测量研究氢化非晶硅中亚稳态光诱导的变化
机译:氢化无定形硅中亚稳光诱导变化的起源的研究。最终的分包报告,1988年4月1日 - 1991年3月31日