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Boron in Near-Intrinsic (100) and (111) Silicon under Inert and Oxidizing Ambients - Diffusion and Segregation.

机译：在惰性和氧化环境下的近内在（100）和（111）硅中的硼 - 扩散和分离。

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作者
Antoniadis, D. A.; Gonzalez, A. G.; Dutton, R. W.;
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作者单位

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年度 1977
页码 1-9
总页数 9
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Boron; Silicon; Crystal structure; Plane geometry; Diffusivity; Oxidation reduction reactions; Reprints; Semiconductor doping;

机译：硼;硅;晶体结构;平面几何结构;扩散系数;氧化还原反应;重印;半导体掺杂;

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