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Conference on Semi-Insulating III-V Materials (2nd), held 19-21 Apr 82, Evian (France)

机译：半导体绝缘III-V材料会议（第2次），于8月19日至21日举行，埃维昂（法国）

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The Second Conference on Semi-insulating III-V Materials dealt with four main issues: growth of bulk III-V crystals, assessment of high resistivity materials, behavior of high resistivity materials under heat treatments, and problems of III-V devices related to the semi-insulating conditions.

著录项

作者
Bishop, S. G.; Swiggard, E. M.;
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作者单位

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年度 1983
页码 p.1-13
总页数 13
原文格式 PDF
正文语种 eng
中图分类工业技术;
关键词
Research management; Symposia; Semiconductor devices; Crystal growth; Metal compounds; Technology transfer; Metal crystals; Group III compounds; Group V compounds; Gallium arsenides; Chemical compounds; Heat resistant materials; Resistance; Integrated circuits; St;

机译：专题讨论会;专题讨论会;半导体器件;晶体生长;金属化合物;技术转移;金属晶体; III类化合物; V族化合物;砷化镓;化合物;耐热材料;电阻;集成电路; st;

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Conference on Semi-Insulating III-V Materials (2nd), held 19-21 Apr 82, Evian (France)

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