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Quantitative Model-Based False Turn-on Evaluation and Suppression for Cascode GaN Devices in Half-Bridge Applications

机译:基于定量模型的假坯on半桥应用中共源共栅GaN器件的评估和抑制

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摘要

Owing to the high operation frequency and fast switching speed, gallium nitride (GaN) devices are prone to the false turn- on phenomenon, causing high swit
机译:氮化镓(GaN)器件由于工作频率高,开关速度快,容易出现误导导通现象,导致高SWID

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