...
首页> 外文期刊>Сибирский Физический Журнал >Выращивание эпитаксиальных слоев твердого раствора Si_(1-x-y)Ge_xSn_y из оловянного раствора-расплава
【24h】

Выращивание эпитаксиальных слоев твердого раствора Si_(1-x-y)Ge_xSn_y из оловянного раствора-расплава

机译:

获取原文
获取原文并翻译 | 示例
   

获取外文期刊封面封底 >>

       

摘要

Выращены монокристаллические пленки варизонного твердого раствора Si_(1-x-y)Ge_xSn_y на подложках Si методом жидкофазной эпитаксии из ограниченного оловянного раствора-расплава в температурном интервале 1100-500 ℃. Определен химический состав выращенных эпитаксиальных пленок на сканирующем электронном микроскопе.

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号