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Detection of H2S with Pdhyphen;gate MOS fieldhyphen;effect transistors

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摘要

H2S gas sensitivity of Pdhyphen;gate MOS fieldhyphen;effect transistors has been studied in air for different temperatures. The possible chemical reactions of H2S and O2on palladium are discussed.

著录项

  • 来源
    《journal of applied physics 》 |1976年第8期| 3592-3593| 共页
  • 作者

    M. S. Shivaraman;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
  • 关键词

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