新型CMOSシナプス回路

摘要

ニューロン回路等に用いられている新型のCMOSシナプス回路を提案している．従来のCMOSインバータのみで構成されているシナプス回路において，重み値はCMOSインバータの構成要素であるPMOSとNMOSトランジスタの相互コンダクタンスg_mとして実現されていた．しかし，CMOSインバータの出力端子の電圧レベルによって，これらのPMOSとNMOSトランジスタの相互コンダクタンスg_mが変動してしまい，シナプス回路に非線形な出力特性をもたらしてきた．今回，提案した新型CMOSシナプス回路では，構成しているCMOSインバータ回路に抵抗を導入し正確にシナプスの重み値を実現することができた．