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3次元メモリーが小容量市場に攻勢チップ面積をフラッシュの1/4~1/3に

机译:3D内存在小容量市场处于攻势,芯片面积减少到闪存的1/4~1/3

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摘要

1Gビット以下の小容量メモリー市場の攻略を狙い,3次元メモリーが攻勢に打って出る。米Matrix Semiconductor,Inc.は,2005年第3四半期に3次元メモリーでは初となる1Gビット品を含む第3世代品を市場に投入する。新たにチップ面積削減技術を導入し,小容量市場でのNAND型フラッシュ・メモリーに対するコスト競争力を高めた。 狙う市場は,ゲーム機向けコンテンツ格納ROM,デジタル・カメラ向けメモリー・カードなど,容量当たりのコストでNAND型に挑める領域である。
机译:为了占领 1 Gbit 或更低的小容量内存市场,3D 内存将继续进攻。 2005 年第三季度,Matrix Semiconductor, Inc. 将推出其第三代产品,包括首款 1 Gb 3D 内存产品。 引入了一种新的芯片面积缩小技术,以提高NAND闪存在小容量市场中的成本竞争力。 目标市场是我们可以以每容量成本挑战NAND类型的领域,例如游戏机的内容存储ROM和数码相机的存储卡。

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