量産目前のhigh-k／メタル・ゲート材料総入れ替えに挑む

摘要

長年，MOS FETの標準材料として使われてきたSiO_2系ゲート絶縁膜と多結晶Siゲートが全面的に置き換わろうとしているくっ2007年の45nmノード（hp65）から，高誘電率（high-k）ゲート絶縁膜とメタル・ゲートの量産導入が本格化するためである。多くのLSIメーカーはhigh-k材料の候補をHfSiONに放り込んだが，メタル・ゲート材料に関しては目下探索を続けている状況である。 このようなゲート材料の総入れ替えによって，CVD系の成膜装置メーカーに新たなビジネス・チャンスが広がる可能性が高い。