45nm技術で先行した東芝が示す10nm台への微細化の指針

摘要

45nm（hp65）技術で奉行した東芝が今後の微細化の指針を示した。 2016年ごろに量産化する10nm台まで，平面型トランジスタとバルクSi基板を使う従来の基本構造で引っ張る。 同社が微細化の追求に揺るぎないのは，その強みを生かせるLSI製品を確実につかんでいることにある。 このような東芝の微細化技術の方向や，リーク電流を考慮した低電圧化の新たなガイドラインが，6月15～17日に開催された「2004 Symposium on VLSI Technology」で明らかになった。