InP／InAsP／InPへテロ構造ナノワイヤLEDの作製と評価

摘要

ナノスケールの断面寸法を有する半導体ナノワイヤはヘテロ構造を利用した多様な量子構造が形成できるだけでなく、量子構造の個数や位置·サイズの制御や多様な材料選択が可能である。また、ナノワイヤのサイズ·形状を制御することで光取り出し効率の向上や自然発光の制御が可能となるため、可視から通信波長帯にわたる広い波長範囲での発光素子応用が期待できる。本研究では、単一光子のオンデマンド発生に向け、有機金属気相選択成長法によってInAsP活性層を埋め込んだInP／InAsP／InP縦ヘテロ構造ナノワイヤを成長し、ナノワイヤアレイ縦型LEDを作製した。作製したLED素子は、電流注入によってInAsP層からの近赤外波長域の発光を示した。