深溝周期構造を用いたInGaN波長可変単一モードレーザの検討

摘要

GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率波長変換デバイスへの応用が期待されている．励起光源として400nm帯InGaN量子井戸単一モードレーザを用いれば，200nm帯深紫外光発生や800nm帯スクイーズド光発生が可能となるが，この波長帯における単一モードレーザの報告例はほとんどない．本研究では，高分解能EB描画や結晶再成長を必要としない簡便なプロセスで作製でき，周期構造領域に電流注入を行うことで波長可変を目指した2種のInGaN波長可変単一モードレーザの設計を行い，その作製プロセスについて検討を行ったので報告する．