セルフアラインバイポーラの高γ線耐量構造の検討

小中　信典; 山口　力

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セルフアラインバイポーラの高γ線耐量構造の検討

机译：自对准双极性高γ辐射耐受性结构的检验

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高周波セルフアラインバイポーラのγ線照射による電流利得の低下を抑制することを目的に，外部ベースの高濃度化，エミッタ#12539;ベース接合上の熱酸化膜／CVD膜構成法を検討した．試作評価の結果，熱酸化膜／CVD窒化膜構成による酸化膜の薄層化が電流利得低下抑制に効果的であることを示した．

机译：为了抑制高频自对准双极γ射线辐照导致的电流增益下降，研究了在外部基座和基于发射极的结上构建热氧化膜和CVD膜的方法。

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来源
《電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス》 |2001年第7期|606-607|共2页
作者
小中　信典; 山口　力;
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作者单位

NTTエレクトロニクス株式会社;

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收录信息
原文格式 PDF
正文语种日语
中图分类无线电电子学、电信技术;
关键词
バイポーラ; セルフアライン; 窒化膜; 放射線; ベースリーク電流;

机译：双极;自动对准;氮化膜;辐射;基极漏电流;

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