接触電流による体内誘導電界と局所SARのFDTD解析

摘要

電磁界ばく露により異なる電位ポテンシャルを持つ金属に人体が接触するとき，接触電流が生じ，体内に誘導された電界により生体影響を引き起こすときれる．ICNIRP（国際非電離放射線防護委員会）ガイドラインおよびIEEE／ICES規格では，電磁界ばく露と同様，接触電流に対する参考レベルを設けている．近年では，数値解析により，参考レベルと体内誘導量の許容値である基本制限の関係の確認が行われている．人体のような不均質かつ複雑な構造を取り扱うにはFDTD（Finite Difference Time Domain）法が有効であるが，低周波においては膨大な繰り返し計算が必要になる．そのため，筆者らは，波源（入射電圧源）をステップ形状とし，繰り返し回数を削減する準静的FDTD法を提案している．本稿では，まず，MHz帯における準静的FDTD法の有効性について検討する．次に，参考レベルの接触電流を注入した場合の体内誘導電界および局所SAR（Specific Absorption Rate）と基本制限を比較する．