RuドープInP埋込構造AlGaInAs 25.8Gbps直接変調DFBレーザ

摘要

1.3μm帯AlGaInAs系埋込型DFB-LDにRuドープInP電流ブロック層を採用した。その結果十分な光出力と25.8Gbps直接変調での大きなマスクマージンを、従来のFeドープInP埋込型DFB-LDよりも10℃高い60℃で実現し、100Gb Ethernet規格の一つである100GBASE-LR4規格の高速動作を確認した。