1.5μm帯CW励起による低温成長GaAsを用いたテラヘルツ波のホモダイン計測

摘要

CWテラヘルツ波を用いた周波数領域分光法は、高いSN比と周波数分解能が得られるため、近年注目を集めている。これまでは、850nm励起の低温成長GaAsあるいは、1.5μm励起のInGaAsを光伝導ミキサとして用いたシステムが主流であった。1.5μm帯のテレコム部品が利用できればシステムをコンパクトかつ安価に構築できるが、InGaAsは低温成長GaAsと比べて抵抗率が4桁程度低く、検出器としてのSN比に問題がある。本稿では、1.5μm励起の低温成長GaAs光伝導ミキサを検出器として用いたテラヘルツ波のホモダイン検出システムについて報告する。2台の1.5μm帯波長可変レーザを用いて単一走行キャリアフォトダイオードから発生されたテラヘルツ波（90-150GHz）は、30dB程度のSN比で検出された。