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The use of Au‐Cd alloys to achieve large Schottky barrier heights on CdTe

机译:使用Au‐Cd合金在CdTe上实现较大的肖特基势垒高度

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摘要

The Schottky barrier height of Cd, Au, and Au‐Cd alloys on vacuum cleaved surfaces ofn‐CdTe was determined byI‐V,C‐V, and photoresponse techniques. A large barrier of 0.92 eV was found in the case of the Au‐Cd alloy contacts. Contacts made with elemental Cd or Au gave barrier heights of 0.45 and 0.65 eV, respectively. The increased barrier height found on Au‐Cd alloy contacts may be related to recent UHV observations on Schottky barrier formation where crystal defects play a role in determining the observed barrier height.
机译:采用I‐V、C‐V和光响应技术测定了Cd、Au和Au‐Cd合金在n‐CdTe真空裂解表面上的肖特基势垒高度.在Au‐Cd合金触点的情况下发现了0.92 eV的大势垒。用元素Cd或Au接触的势垒高度分别为0.45和0.65 eV。在Au‐Cd合金接触点上发现的阻挡高度增加可能与最近对肖特基阻挡层形成的UHV观测有关,其中晶体缺陷在确定观察到的阻挡高度方面起作用。

著录项

  • 来源
    《journal of applied physics》 |1981年第7期|4874-4876|共页
  • 作者

    Thomas F. Kuech;

  • 作者单位
  • 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
  • 原文格式 PDF
  • 正文语种 英语
  • 中图分类
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