高出力GaN HEMT素子を用いた高電力高効率増幅器／整流器の設計·試作およびその評価

摘要

トランジスタを用いた電力増幅器では高調波処理により高効率化が実現されるが，電力の流れで見ると，直流電力をRF電力へ高効率変換している．この増幅器において出力側からRF電力を投入すると，ドレインバイアス端子から直流電力が出力され，整流器として動作する．このとき，トランジスタのゲート側のオン／オフのタイミングを調整すると，増幅動作および整流動作での各々の電流·電圧波形の間に時間反転双対性が現れ，両者が同じ効率で動作することになる。すなわち，高効率増幅器のゲート側回路を整流動作に最適な条件に調整したものは高効率整流器として動作する．本報告では，GaN HEMT素子を用い，同形のドレイン側回路を用いて試作された5.8GHz帯高電力高効率増幅器および整流器の評価結果について報告する．