半導体光アイソレータを用いた一方向発振リングレーザの設計と試作

摘要

半導体リングレーザは全光信号処理のための有力なデバイスとして注目されている。ただし単体のリングレーザは構造の線対称性によって発振状態を予測·制御することが困難である。そこで本研究では、半導体光アイソレータを用いてリングレーザの発振状態を一方向に制御することを目指している。容易に実現可能な3dBの消光比をもつ半導体光アイソレータをリングレーザに導入することによって一方向発振が得られることが明らかになった。