表面光伝搬のための半導体ハーフクラッド構造の開発

摘要

光情報通信やセンシングにおいて，半導体レーザ出力の波長や光位相などの光波の状態制御は非常に重要である．我々は半導体表面の優れた微細加工特性に着目し，表面加工による光波状態の制御を目指している．これを実現するために、光波分布をデバイス表面近傍に局在させ、表面近傍を光伝搬させる必要がある。通常の半導体レーザでは活性層の上部に非常に厚いクラッド層を有しており，これにより光がデバイス表面から奥深くを伝搬されることになる。我々はハーフクラッド構造と称して，上部クラッド層を極端に薄膜化することで光の表面伝搬を可能とする新構造を提案している．今回，このハーフクラッド構造でのレーザ発振に成功したので，その構造作製と特性評価について報告する．