紫外LEDの発光特性評価

摘要

紫外領域での高効率発光デバイスが未だ実現していないのは、AIGが層に10{sup}8～10{sup}10cm{sup}(-2)の貫通転位が存在し、発光効率が低下していることが主な原因である。選択成長によりファセットを形成しその上に低温堆積AlN 中間層を介してAlGaNを成長させる、という新しく開発した技術では、基板全体の低転位化が可能となっ年。 新しい技術を用いて試作したUV-LEDは、順方向電流100mAにおいて、2.6mWの光出力が得られた。