再成長フリーInP量子井戸偏波制御素子の試作·実証

摘要

結晶再成長工程が不要なプロセスにより，InP系歪み量子井戸基板上にハーフリッジ型偏波変換部と位相変調部をモノリシックに集積した偏波制御素子を作製し，良好な特性を実証した．まず，歪み量子井戸を含む活性層と導波路形状の詳細な数値解析を通して,位相変調部と偏波変換部の特性を両立させる素子構造を設計した．その上で，設計した素子を実際に試作し，再成長フリー量子井戸型偏波制御素子としては初めて，ポアンカレ球上のほぼ全面における偏波状態に変換できることを実証した．