Erratum: ‘‘Arsenic‐rich melt effect on threshold voltage scattering for Si‐implanted GaAs metal‐semiconductor field‐effect transistor’’ J. Appl. Phys.65, 846 (1989)

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• 来源
  《journal of applied physics》 |1989年第5期|2232-2232|共页
• 作者

  Yasuyuki Saito;

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• 作者单位

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• 收录信息 美国《科学引文索引》(SCI);美国《工程索引》(EI);美国《生物学医学文摘》(MEDLINE);
• 原文格式 PDF
• 正文语种 英语
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