Рассчитаны концентрации равновесных дефектов в монокристаллах селенида цинка, выращенных из расплава стехиометрического состава. Установлено, что основной механизм дефекгообразования осуществляется по схеме Шоттки, причем при 300 К доминируют однозарядные вакансии селена V'Se и двухзарядные вакансии цинка VZn, а также их ассоциаты (Tzn^Se) Проведено сравнение расчетных данных с экспериментальными результатами по исследованию электропроводности и люминесценции кристаллов ZnSe.
展开▼
