AlN基板を用いた紫外LED

摘要

サファイア基板上にAlN層を直接成長したAlNテンプレートおよびサファイア基板を用い、紫外LEDを作製した。 AlNテンプレート上に作製したLEDウエハーは、(10-12)面反射のX線ロッキングカーブ半値幅は177secと狭く、CL測定で観測されるダークスポットが2.0×10{sup}8cm{sup}(-2)と、サファイア基板上に作製したものと比べ結晶性の良いウエハーであることがわかった。 LEDチップの電流－電圧特性においてリーク電流が低減できている事も結晶性を反映していると考えられる。 発光出力は両者とも同等あり、ベアチップ状態で382nm、4mW (at 20mA)が得られた。