本格化する次世代メモリ: 強誘電体メモリ，MRAM，OUMは最有力候補

摘要

本稿では，強誘電体メモリ，MRAM，OUMなどの次世代メモリについて述べる。 強誘電体メモリでは，富士通，松下電器産業，ローム，Infineon Technologies，Ramtron International，Hynix Semiconductorなどが製品化に踏み切っている。 ただし，各社とも製品戦略は若干異なる。 製品としては，ロジックと強誘電体メモリを混載したシステムLSI，EEPROMやフラッシュメモリ，DRAMの代替としての単体メモリがある。