AlNセラミック基板上に集積した共鳴トンネルペア発振器

摘要

AlNセラミック基板上に共鳴トンネルダイオードペア発振器を作製し，その特性を調べた．作製には微小デバイスブロックの配置·配線技術を用いた．これにより，大容量のチップコンデンサをRTDの近傍に配置することが可能になった．49GHzで安定した発振が得られ，100kHzオフセットで-100dBc/Hzという良好な位相ノイズ特性が得られた．