Weltweit erste Herstellung von AlScN per MOCVD

摘要

Wissenschaftler am Fraunhofer-Institut fur Angewandte Festkorperphysik IAF haben das bislang Unmogliche geschafft: Es ist ihnen weltweit zum ersten Mal gelungen, Aluminiumscandiumnitrid (AlScN) per metallorganischer chemischer Gasphasenabscheidung (MOCVD) herzustellen. Bauelemente auf der Basis von AlScN werden als die nachste Generation der Leistungselektronik angesehen. Das Fraunhofer IAF kommt somit dem Ziel, Leistungselektronik fur industrielle Anwendungen auf Basis von Transistoren aus AlScN herzustellen, einen entscheidenden Schritt naher.