招待講演4H-SiCトレンチ埋込成長のトポグラフィシミュレーション

摘要

化学的気相堆積（CVD)を用いた4H-SiCスーパージャンクション素子向けトレンチ埋込成長に関するトポグラフィシミュレーションのモデルを提案した。減圧CVDが専ら使用され，バリスティック輸送モデルで記述されるSiトレンチ埋込成長と異なり，ポリタイプを4Hとするため高温成長が必須となる結果，高いSi蒸気圧を抑圧するため亜大気圧CVDが使われるSiCの場合，連続拡散モデルによる記述が必要となる。成長種の気相平衡濃度が表面の曲率に応じて変化するギブス-トムソン効果を取り入れ，表面自由エネルギーの面方位依存性を考慮することにより，実験的に観察されたボイドや窪み等の特徴を再現することが可能となった。