GaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネルpチャネルエンハンスメント/反転型GaAs-MISFETの試作

摘要

絶縁膜としてGaAs表面を酸化した後，更に窒化を施すことで形成したGaAs酸窒化膜をゲート絶縁膜とするnチャネル，pチャネル，エンハンスメント/反転型のGaAs-MISFETの試作を行った．その結果酸化のみによるMOSFETと比較しMISFETではピンチオフ特性，ヒステリシス特性に改善が見られた．また，相互コンダクタンスについてはnチャネルのもので62mS/mm（V_(th)～0 V），41mS/mm（V_(th)～1 V），14mS/mm（V_(th)＝V_(flat)（＝1.1 V））のものが確認されており，従来報告のあったGaAs-MOSFETに比べ10～100倍の値を得ることができた．一方，pチャネルのものではMISFETで約9mS/mmを実現している．