薄膜BOX-SOIを用いた基板バイアス印加温度センサの検討

摘要

微細化による性能向上はリーク電流の指数関数的な増加による消費電力の増大とプロセスばらつきにより阻まれている。これらを解決するためにFD-SOIデバイスの1つである薄膜BOX-SOI（SOTB：Silicon on Thin BOX）が提案されている。またトランジスタには発熱の問題がある。発熱はトランジスタの劣化や故障を引き起こし、チップの動作に異常をきたす。そのため、チップ上の温度を測定する温度センサが必要となっている。この問題を解決するために、本論文では薄膜BOX-SOIに向けた温度センサを提案する。提案する温度センサを実装したSOTB とバルク65nmプロセスの試作チップを用いて測定を行い、従来のバルクトランジスタと比較して温度に対する分解能を増大させ、チップごとのプロセスばらつきを基板バイアスによって低減できることを示す。