内部磁界の不均一分布を考慮したフェライトデバイスのFDTD解析

摘要

フェライト内部の直流磁界の不均一な3次元分布を考慮してマイクロストリップ線路型のフェライトデバイスのFDTD解析を行い，その有効性を確かめている．実験との比較を行うために，構造が簡単なフェライト基板マイクロストリップ線路の数値解析を行い，不均一内部磁界の帯域速断特性への影響を明らかにしている．数値解析結果は遮断中心周波数，帯域幅，減衰量ともに測定結果とよく一致しており，直流磁界の不均一性を考慮したより厳密なFDTD解析が行えることを明らかにしている．