...
首页> 外文期刊>電子情報通信学会論文誌, C. エレクトロニクス >高基数・スケーリング方式浮動小数点除算回路の高速化と小形化
【24h】

高基数・スケーリング方式浮動小数点除算回路の高速化と小形化

机译:高基数和缩放浮点除法电路的高速和小型化

获取原文
获取原文并翻译 | 示例

摘要

マルチメディア処理用DSPに搭載することを目的とした高基数(基数8)非回復形CMOS浮動小数点除算回路の小形化と高速化を実現するために,各種回路技術を開発した.まず,高基数非回復形除算とスケーリング法を採用した基数4及び基数8の54ビットCMOS非回復形除算回路を設計した.この結果,基数8のMOSFET数(N_(FET))(約74.4K個)は基数4のN_(FET)(約49.6 K個)の1.50倍となった.一方,総繰返しサイクル数(N_(CYC))は基数8が20回,基数4が29回で,基数8が基数4より1.33倍高速であった.次に,基数8の高速性能を生かし,併せて,基数8で用いた複数個の加減算回路を多重化することにより共通化し,その数を削減,小形化した.この結果,N_(FET)では約35.3 K個に削減され,基数4のN_(FET)の71.2%となった. 更に,処理すべき内容が異なる複数のアルゴリズムに共通性があることを見出し,これを用いて,N_(FET)を約31.9 K個まで削減した.これは基数4のNFETの64.3%ある.一方,基数8のN_(CYC)は当初の20回を確保することができた.換言すると,基数8の高速性能(N_(CYC)=20回)を維持して,回路規模を基数4の64.3%に低減できたことになる.更にこれを用いた基数8非回復形CMOS浮動小数点除算回路(基数8-F-DIV)を設計した.基数8-浮動小数点除算に必要なN_(CYC)は32ビット,64ビットでそれぞれ14回,26回となった.32b-基数8-F-DIVをVerilog HDLで論理記述し,Design Analyzerで論理合成し,MilkyWayとApolloで配置配線した.0.5-μm CMOS技術を用いると,活性化面積は1.5-mmX1.5-mm(搭載N_(FET)は17.5 K個)で,SPICE解析による3.3 V,50 MHz動作時の消費電力は43.54 mWであった.
机译:我们开发了各种电路技术,以实现用于多媒体处理的DSP的高基数(以8为基数)不可恢复CMOS浮点除法电路的小型化和速度化。 首先,我们设计了一个54位CMOS非恢复分频电路,用于基数4和基数8,采用高基数非恢复除法和缩放方法N_。 约 74.4 K) 是碱基 4 N_的 N_ (FET) (约 49.6 K) 的 1.50 倍。 接下来,利用基数8的高速性能,我们还通过多路复用对基数8中使用的加法和减法电路进行了标准化,并减小了电路的尺寸。 结果,N_(FET)的数量减少到约35.3 K,为基数4的N_(FET)的71.2%。 此外,我们发现要处理不同内容的多种算法之间存在共性,并利用这种共性,我们将N_(FET)的数量减少到约31.9 K。 这是以 4 为基数的 NFET 的 64.3%。 另一方面,我们能够获得以 8 为基数的初始 20 N_ (CYC)。 换言之,保持了基数 8 的高速性能(N_ (CYC) = 20 倍),电路尺寸减小到基数 4 的 64。 此外,我们利用该电路设计了一个以8为基数的不可恢复CMOS浮点除法电路(以8为基数的8-F-DIV)。 基数 8 浮点除法所需的N_ (CYC) 分别为 32 位和 64 位,分别为 14 倍和 26 倍。32b-基数 8-F-DIV 在 Verilog HDL 中进行了逻辑描述,并使用 Design Analyzer 进行合成。 根据SPICE分析,使用MilkyWay和Apollo的.0.5 μm CMOS技术,激活区域为1.5 mm x 1.5 mm(17.5 K N_(FET)),3.3 V和50 MHz工作时的功耗为43.54 mW。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
获取原文

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号