DNAメモリトランジスタの電荷保持機構と伝導機構

摘要

DNA（チャネル）／SiO_2／Si（ゲート）構造において，DNAのキャリアの振る舞いを調べた．シリコン基板を使って電極間に120nmのギャップを作り，DNAはギャップの間に作製した．dI_D／dV_Dは0.7Vで極値を示ており，この理由はDNA中のトラップとデトラップが関与していると考える．電子はグアニンにトラップされ，チャネル部における電圧によってデトラップが引き起こされる．p~+Siの場合多数キャリアのホールはDNAチャネル中の電子と再結合し，質量作用の法則により，ドレイン電極からチャネルに注入される．