コンパクトなシリコン三重量子ドットの作製と評価

摘要

高集積シリコンマルチ量子ドットは量子ビットへの応用が期待されている．我々は，シリコン細線をパターン依存酸化することで単一量子ドットを形成し，3本の微細ゲート電極を細線上に取付け，再度酸化することで三重量子ドットを作製できることを明らかにした．この作製法は，微細ゲートの直下に量子ドットが形成するので，量子ドットの集積化に適している．また，ゲートピッチを狭めた場合の高集積三重量子ドットの評価法として，同時スイープ法を提案し，シミュレーションを用いてその有用性を示した．