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厚膜レジストにおけるプリベーク条件が解像性に与える影響

机译:预烘烤条件对厚膜光刻胶分辨率的影响

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摘要

厚膜レジストプロセスにおいて高解像性を実現するための有効なプリベーク条件とプリべークのメカニズムを検討した.本検討には,プリベークの温度と時間を変化させたサンプルを用いた.得られたレジストパターンのSEMと顕微鏡観察結果,そして現像コントラストから,パターンの解像性,垂直性が最も高いのは, プリベーク条件125℃/7分であることがわかった.そのメカニズムを考察するために,各プリベーク条件における現像の活性化エネルギーの比較,プリベーク中の残留溶媒量変化と感光剤濃度の比較,プリベーク後のレジスト内の残留溶媒量と透過率及び吸光係数の比較,そしてレジストパターンシミュレーションを行った.その結果,パターニングを阻害レマターン解像性と垂直性の劣化をもたらす要因は,露光により発生したN_2が,レジスト内の残留溶媒により,レジスト内にトラップされ,レジスト外に効率良く放出されずに発泡現象を引き起こすことと,プリベークによるレジスト内の感光剤の熱分解により,未露光部分の現像抑止効果の低下であることがわかった.
机译:在这项研究中,我们使用了具有不同预烘烤温度和时间的样品。 根据SEM和显微观察结果,得到的光刻胶图案和显影对比,预烘烤条件最高,为125°C/ 为了研究其机理,我们比较了各预烘烤条件下显影剂的活化能,比较了预烘烤过程中残留溶剂量和光敏剂浓度的变化,比较了预烘烤后光刻胶中残留溶剂的量,比较了透光率和消光系数,模拟了光刻胶图案。研究发现,_2被光刻胶中的残留溶剂困在光刻胶中,不能有效地释放到光刻胶外,引起起泡现象,并且通过预烘烤使光敏剂在光刻胶中热分解,降低了未曝光部分的抑制效果。

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