ナノスケールMOSFETのバリスティック輸送特性

摘要

キャリアのバリスティック輸送は，MOSFETの電流駆動力を向上させるテクノロジーブースターの一つとして期待されている。 本稿では，量子補正を取り入れたモンテカルロ·シミュレーションを用いて，チャネルソース端におけるキャリア注入速度，後方散乱確率およびバリスティック効率等についての定量的評価を行った。その結果，バリスティック輸送効果はチャネル長が30nm以下で現れ始め，10nm以下のチャネル長ではその効果が飽和することが分かった。 また，量子補正モンテカルロ法により得られたバリスティック輸送係数は，最近の実験結果と良い一致を示すことも分かった。