GeO_2/Ge界面制御によるGe-nMOSFETsの電子移動度の向上－Siユニバーサルカーブを超える移動度特性の実証

摘要

Geの電子移動度はバルク中でSiを超えることが知られながら、MOSFETにおいてはSiを超える特性は報告されておらず、その起源も明確にされていない。今回は熱力学、速度論的にGeO_2/Ge界面を制御することにより、ピーク値で1100cm~2/Vs、且つSiのユニバーサルカーブを大幅に超える移動度特性を示すnMOSFETの動作に成功した。更にこの素子においても未だ外因的散乱源によって特性が律速されている可能性が高く、大幅な特性向上の余地を期待させる。まさに今GeCMOS実現への可能性が大きく開かれたといえる。